FDN327N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2А, 500мВт, SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019859001
- Артикул
- FDN327N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.4 mm
Цена по запросу
(от 26,83 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | FDN327N |
| Product | MOSFET Small Signal |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 6.5 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 6.5 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Part # Aliases | FDN327N_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Forward Transconductance - Min | 11 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A(Ta) |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |