Моя заявка (0)

FDN306P, Транзистор P-MOSFET 12В 2.6А 0.5Вт [SOT-23-3]

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001729580
Артикул
FDN306P
PartNumber
FDN306P-EV
Бренд
EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23-3
Структура
MOSFET
Особенности
мобильные приложения
Цена по запросу
(от 5,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23-3
СтруктураMOSFET
Особенностимобильные приложения
Крутизна характеристики, S10
Пороговое напряжение на затворе-0.4…-1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)30 мОм/2.6, 4.5В