FDN302P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2,4А, 500мВт, SuperSOT-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061804964
- Артикул
- FDN302P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.4 mm
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2,4А, 500мВт, SuperSOT-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | FDN302P |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 11 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 11 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Part # Aliases | FDN302P_NL |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -2.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |