FDMT80080DC, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075264749
- Артикул
- FDMT80080DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 65 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 65 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | Dual Cool 88-8 |
| Product Range | PowerTrench Series |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Power Dissipation | 156W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 195 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 254A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 67 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 116 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.00135ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.06 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |