FDMT80060DC, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001631226
- Артикул
- FDMT80060DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.5
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 156Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 1 320 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 870мкОм |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 292А |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 870мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 292 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |