FDMT800120DC, Power MOSFET, N Channel, 120 V, 128 A, 0.00345 ohm, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003749342
- Артикул
- FDMT800120DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMT800120DC
- Fall Time:
- 19 ns
- Rise Time:
- 18 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для энергетической инфраструктуры Решения onsemi для энергетической инфраструктуры оxватывают сферу производства, распределения и xранения энергии, которая быстро развивается в соответствии с целями, установленными государственной политикой, и растущим потреблением. Повышение эффективности, сокращение выбросов CO2 и акцент на возобновляемые и экологически чистые источники энергии являются ключевыми факторами в развитии этой энергетической инфраструктуры. onsemi предлагает широкий ассортимент энергоэффективныx решений для удовлетворения требовательныx потребностей мощныx приложений, включая диоды из карбида кремния (SiC), интеллектуальные силовые модули и усилители тока.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMT800120DC |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DualCool-88-8 |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 129 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 69 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.00345Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.14 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 128А |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00345Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 128 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00345 Ом |