FDMT800100DC, Транзистор: N-MOSFET
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437581
- Артикул
- FDMT800100DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 3.2W;156W
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 1 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 3.2W;156W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@0~6V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.595nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 24A;162A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3mΩ@10V, 24A |