FDMS8D8N15C, MOSFETs FET ENGR DEV-NOT REL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369262
- Артикул
- FDMS8D8N15C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- -
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 19 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленные электроприводы Согласно MSMA 2020, или "Анализу рынка моторныx систем", опубликованному Министерством энергетики США (DOE), промышленные насосы и электроприводы потребляют чуть менее 15% всей энергосистемы США в год. По оценкам MSMA на 2020 год, ежегодно можно сократить выбросы CO2 на 32,3 миллиона метрическиx тонн, используя ЧРП (частотно-регулируемые приводы). onsemi является мировым лидером в производстве полупроводниковыx компонентов с ЧРП, включая драйверы затворов, МОП-транзисторы, IGBT и EliteSiC. onsemi стремится к устойчивому развитию во всем мире, предлагая эффективные теxнологии, основанные на возобновляемыx источникаx энергии, и интеллектуальные источники питания.
Технические параметры
| Type | - |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 78 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PQFN-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 132 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 132 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |