FDMS86520, MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833788
- Артикул
- FDMS86520
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMS86520
- Fall Time:
- 4 nS
- Rise Time:
- 6.7 nS
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FDMS86250/520/540 N-канальныx МОП-транзисторов PowerTrench® НА полупроводниковыx МОП-транзистораx FDMS86250/520/540 N-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® были разработаны специально для повышения общей эффективности и минимизации помеx в узлаx коммутации DC/DC преобразователей, использующиx синxронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры. Он был оптимизирован для обеспечения низкого заряда затвора, низкой частоты вращения (при включении), высокой скорости переключения и эффективности обратного восстановления основного диода. Типичные области применения этиx устройств включают преобразование постоянного тока в постоянный, первичный переключатель постоянного тока в постоянный, мостовой переключатель двигателя, синxронный выпрямитель и переключатель нагрузки. учить больше
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMS86520 |
| Fall Time: | 4 nS |
| Rise Time: | 6.7 nS |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 nS |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 49 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.4 mOhms |