Моя заявка (0)

FDMS86368-F085, Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R

FDMS86368-F085, Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002307827
Артикул
FDMS86368-F085
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 266 ₽)
Минимальный заказ: 286 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 80V 80A Автомобильный AEC-Q101 с 8-контактным разъемом PQFN EP T/R

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
Pin Count8
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.8 mm
Package Length4.9 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePQFN EP
СтруктураN-Channel
Standard Package NameQFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)22
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)214000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)57
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)57@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)23
Maximum Drain-Source Voltage (V)80
Typical Turn-Off Delay Time (ns)32
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)80
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4350@40V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)4.5@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация