FDMS86310, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020043030
- Артикул
- FDMS86310
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 94,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80 В 105 А 3.8mOhm@10V,17A 96 Вт 3.3V@250uA N-канальная мощность-56-8 МОП-транзисторов ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 95 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 96W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 55nC@0~8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.73nF@40V |
| Continuous Drain Current (Id) | 105A |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 19pF@40V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.8mΩ@10V, 17A |