FDMS86300DC,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 76 A, 0.0026 ohm, Power 56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036947819
- Артикул
- FDMS86300DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5.85mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.816
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 5.85mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.816 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 76 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 76 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0026 Ом |