Моя заявка (0)
FDMS86300, MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833779
Артикул
FDMS86300
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6mm
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Вес, г
0.07
Цена по запросу
(от 273,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 80V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Width6mm
SeriesPowerTrench
Pin Count8
Вес, г0.07
Длина6 mm
СерияFDMS86300
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN8
Высота1.1 mm
Ширина5 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9 ns
ОсобенностиTrenchFET
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation104 W
Typical Gate Charge @ Vgs72 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPower-56-8
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Qg - заряд затвора59 nC
Maximum Drain Source Resistance5.8 mΩ
Время нарастания26 ns
Maximum Continuous Drain Current122 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности104 W
Id - непрерывный ток утечки42 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения36 ns
Типичное время задержки при включении31 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.60 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация