FDMS86263P, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048619416
- Артикул
- FDMS86263P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.07
Цена по запросу
(от 136 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 150 В 4,4А (Ta), 22 А (Tc), 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-PQFN (5x6)
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.07 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4.4A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 104W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3905 pF @ 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A(Ta), 22A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |