Моя заявка (0)

FDMS86255ET150, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Surface Mount

FDMS86255ET150, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003073768
Артикул
FDMS86255ET150
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMS86255ET150
Fall Time:
6.2 ns
Rise Time:
4.5 ns
Цена по запросу
(от 1 670 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMS86255ET150
Fall Time:6.2 ns
Rise Time:4.5 ns
Tradename:PowerTrench Power Clip
Вес, г0.4
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:Power-56-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation136Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:45 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:113 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:35 S
Drain Source On State Resistance0.0095Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:9.5 mOhms
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Непрерывный Ток Стока63А
Рассеиваемая Мощность136Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораPower 56
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0095Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А63
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт136
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0095 Ом

Техническая документация