FDMS86252L,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 12 A, 0.046 ohm, Power 56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8828478827
- Артикул
- FDMS86252L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- PQFN8
- Width
- 5.85mm
- Series
- PowerTrenchВ®
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Case | PQFN8 |
| Width | 5.85mm |
| Series | PowerTrenchВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.4 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | PQFN8 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 12A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 50W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.11Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 150V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4.4A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 50W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1335pF @ 75V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.4A(Ta) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.046 Ом |