Моя заявка (0)
FDMS86252, MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673894
Артикул
FDMS86252
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.07
Цена по запросу
(от 273,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.07
Длина6 mm
СерияFDMS86252
Высота1.1 mm
Ширина5 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 4.6A, 10V
ОсобенностиTrenchFET
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 69W(Tc)
Supplier Device Package8-PQFN(5x6)
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPower-56-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Qg - заряд затвора6.1 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds905 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A(Ta), 16A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности69 W
Id - непрерывный ток утечки16 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток51 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.15 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация