Моя заявка (0)

FDMS86250, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Surface Mount

FDMS86250, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001929632
Артикул
FDMS86250
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 451 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 150 В, 30 А, PQFN; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 30 А; Напряжение источника стока Vds: 150 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,019 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2,9 В; Мощность Мощность рассеивания: 96 Вт; Тип корпуса транзистора: PQFN; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия PowerTrench; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (15 января 2019 г.)

Технические параметры

TypePower MOSFET
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Вес, г0.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePQFN EP
Rad HardenedNo
Power Dissipation96Вт
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Drain-Source On-Volt150(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Особенности-
Continuous Drain Current6.7(A)
Gate-Source Voltage (Max)'±20(V)
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность96Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.9В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.019 Ом

Техническая документация