FDMS8622, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833774
- Артикул
- FDMS8622
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- PowerTrenchВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 122,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Series | PowerTrenchВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 207.8 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | FDMS8622 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power Dissipation | 31Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2.1 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4.8A, 10V |
| Особенности | TrenchFET |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 31W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Время нарастания | 1.7 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 16.5А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.8A(Ta), 16.5A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 31Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |