FDMS86202ET120, MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833773
- Артикул
- FDMS86202ET120
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- -
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 758,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Type | - |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 187 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |