FDMS86201, Power MOSFET, N Channel, 120 V, 35 A, 0.0096 ohm, Power 56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017647611
- Артикул
- FDMS86201
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- N-Channel Power Trench MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMS86201
- Fall Time:
- 7.1 ns
Цена по запросу
(от 448 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench
Технические параметры
| Type: | N-Channel Power Trench MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMS86201 |
| Fall Time: | 7.1 ns |
| Rise Time: | 7.7 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.132 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 39 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0096 Ом |