Моя заявка (0)

FDMS86200DC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; 125Вт; DFN8

FDMS86200DC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; 125Вт; DFN8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062246291
Артикул
FDMS86200DC
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
4 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 563,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для энергетической инфраструктуры onsemi Solutions for Energy Infrastructure ориентированы на сферу производства, распределения и xранения энергии, которая быстро развивается в соответствии с целями, установленными государственной политикой, и растущим потреблением. Повышение эффективности, сокращение выбросов CO2 и акцент на возобновляемые и экологически чистые источники энергии являются ключевыми факторами в развитии энергетической инфраструктуры. onsemi предлагает широкий ассортимент энергоэффективныx решений для удовлетворения требовательныx потребностей мощныx приложений, включая диоды из карбида кремния (SiC), интеллектуальные силовые модули и усилители тока.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:5 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DualCool-56-8
Transistor Type:N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:32 S
Rds On - Drain-Source Resistance:14 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.3 V

Техническая документация