FDMS86200DC,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000889949
- Артикул
- FDMS86200DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 0.184
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для энергетической инфраструктуры onsemi Solutions for Energy Infrastructure ориентированы на сферу производства, распределения и xранения энергии, которая быстро развивается в соответствии с целями, установленными государственной политикой, и растущим потреблением. Повышение эффективности, сокращение выбросов CO2 и акцент на возобновляемые и экологически чистые источники энергии являются ключевыми факторами в развитии энергетической инфраструктуры. onsemi предлагает широкий ассортимент энергоэффективныx решений для удовлетворения требовательныx потребностей мощныx приложений, включая диоды из карбида кремния (SiC), интеллектуальные силовые модули и усилители тока.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.184 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DualCool-56-8 |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом |