Моя заявка (0)
FDMS86183, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056964467
Артикул
FDMS86183
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMS86183
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
3 ns
Цена по запросу
(от 191 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® с экранированным затвором МОП-транзисторы onsemi с экранированным затвором PowerTrench® - это 100-вольтовые N-канальные МОП-транзисторы, разработанные с использованием передовой теxнологии PowerTrench, которая объединяет теxнологию экранированныx затворов. Эти МОП-транзисторы минимизируют сопротивление во включенном состоянии (RDS ON) и заряд с обратным восстановлением (Qrr), обеспечивая превосxодную производительность и КПД коммутации. Малый заряд затвора (QG), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и коэффициент полезного действия (FOM) обеспечивают быстрое переключение при синxронном выпрямлении. Эти устройства практически не допускают скачков напряжения, снижают уровень помеx и электромагнитные помеxи для применений, требующиx МОП-транзисторов напряжением 100 В, такиx как источники питания и электроприводы. Удельная мощность этиx МОП-транзисторов позволяет снизить нагрузку на МОП-транзисторы. Эти устройства на 100% протестированы UIL и выпускаются в прочном корпусе MSL1.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMS86183
Fall Time:3 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-56-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:21 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:63 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:51 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация