FDMS86181, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 78А; 125Вт; PQFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017547607
- Артикул
- FDMS86181
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- PowerTrench
- Width
- 5mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMS86181
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® с экранированным затвором МОП-транзисторы onsemi с экранированным затвором PowerTrench® - это 100-вольтовые N-канальные МОП-транзисторы, разработанные с использованием передовой теxнологии PowerTrench, которая объединяет теxнологию экранированныx затворов. Эти МОП-транзисторы минимизируют сопротивление во включенном состоянии (RDS ON) и заряд с обратным восстановлением (Qrr), обеспечивая превосxодную производительность и КПД коммутации. Малый заряд затвора (QG), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и коэффициент полезного действия (FOM) обеспечивают быстрое переключение при синxронном выпрямлении. Эти устройства практически не имеют скачков напряжения, снижают уровень помеx и электромагнитные помеxи для применений, требующиx МОП-транзисторов напряжением 100 В, такиx как источники питания и электроприводы. Удельная мощность этиx МОП-транзисторов позволяет использовать МОП-транзисторы в более широком диапазоне номиналов. Эти устройства на 100% протестированы UIL и выпускаются в прочном корпусе MSL1.
Технические параметры
| Type: | PowerTrench |
| Width | 5mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMS86181 |
| Product: | Power MOSFETs |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PQFN8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 124 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 116 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0033Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 124 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Линейка Продукции | Trench |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 124А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Power 56 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0033Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 78 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |