Моя заявка (0)
FDMS86152, MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673893
Артикул
FDMS86152
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
3.3 mm
Серия
FDMS86152
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 614,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Channel Power Trench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
Длина3.3 mm
СерияFDMS86152
Channel TypeN Channel
Высота0.8 mm
Ширина3.3 mm
Power Dissipation125Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPower-56-8
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора36 nC
Время нарастания6 ns
Drain Source On State Resistance0.0052Ом
Линейка ПродукцииPowerTrench
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока45А
Рассеиваемая Мощность125Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки45 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench Power Clip
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении17 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0052Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.42 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация