FDMS86150ET100, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062170367
- Артикул
- FDMS86150ET100
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- FDMS86150ET100
- Высота
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 710 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | FDMS86150ET100 |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Время нарастания | 8.3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 187 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 128 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench Power Clip |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 53 S |