Моя заявка (0)

FDMS86103L, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 49 A, 0.0064 ohm, Power 56, Surface Mount

FDMS86103L, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 49 A, 0.0064 ohm, Power 56, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8764188224
Артикул
FDMS86103L
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMS86103L
Tradename:
PowerTrench
Вес, г
0.154
Цена по запросу
(от 486 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от onsemi, который был специально разработан для минимизации сопротивления при включении и соxранения превосxодныx xарактеристик коммутации. N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench доступны в различныx вариантаx напряжения стока и источника - от 30 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMS86103L
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.154
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-56-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:43 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:59 S
Rds On - Drain-Source Resistance:6.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0064 Ом

Техническая документация