Моя заявка (0)

FDMS86101DC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

FDMS86101DC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8035377182
Артикул
FDMS86101DC
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.15
Длина
6 mm
Серия
FDMS86101DC
Высота
1.05 mm
Цена по запросу
(от 71,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.15
Длина6 mm
СерияFDMS86101DC
Высота1.05 mm
Ширина5 mm
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокDualCool-56-8
Тип транзистора2 N-Channel
Qg - заряд затвора44 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки14.5 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе3.6V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)14.5mΩ@10V, 10A

Техническая документация