FDMS86101A, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017551747
- Артикул
- FDMS86101A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Series
- FDMS86101A
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Tradename
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 350,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Series | FDMS86101A |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Длина | 6 mm |
| Серия | FDMS86101A |
| Subcategory | MOSFETs |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Вес, кг | 3.99 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Power-56-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 104 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0063 Ом |