Моя заявка (0)
FDMS86101A, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017551747
Артикул
FDMS86101A
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Series
FDMS86101A
Packaging
Cut Tape or Reel
Tradename
PowerTrench
Цена по запросу
(от 350,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

BrandON Semiconductor/Fairchild
SeriesFDMS86101A
PackagingCut Tape or Reel
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Длина6 mm
СерияFDMS86101A
SubcategoryMOSFETs
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeMOSFET
Вес, кг3.99
Высота1.1 mm
Ширина5 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePower-56-8
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number Of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation104 W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPower-56-8
Id - Continuous Drain Current13 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Тип транзистора1 N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance8 mOhms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности104 W
Id - непрерывный ток утечки13 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0063 Ом

Техническая документация