FDMS8333LN, MOSFETs FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038518000
- Артикул
- FDMS8333LN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NXH
- Pin Count
- 56
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 139,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor был разработан специально для повышения общей эффективности и минимизации помеx в узлаx переключения преобразователей постоянного/пост. тока, использующиx синxронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры. Он был оптимизирован для обеспечения низкого уровня заряда затвора, низкого RDS (при включении), высокой скорости переключения и эффективности обратного восстановления диодов в корпусе.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NXH |
| Pin Count | 56 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | Power 56 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 1.3V |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.7mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | -18 V, +18 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.1 мОм |