FDMS8050ET30, Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002753428
- Артикул
- FDMS8050ET30
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 16 ns
- Rise Time:
- 22 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 66 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | Power-56-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 204 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 87 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 423 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 333 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 650 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |