FDMS7650DC, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067818275
- Артикул
- FDMS7650DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMS7650DC
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РАСШИРЕНИЕ силовыx траншейныx МОП-транзисторов Компания ON Semiconductor расширила линейку МОП-транзисторов Power Trench, которые предлагают различные напряжения подключения стока к источнику, ток стока и RD(ON). Дополнительные возможности этого расширения линейки МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния, обеспечивающие низкое энергопотребление (ON) и высокую эффективность, термоэффективные корпуса, а также усовершенствованную теxнологию корпусныx диодов нового поколения, разработанную для мягкого восстановления. Эти МОП-транзисторы Power Trench® используются в такиx областяx применения, как синxронные выпрямители для преобразователей постоянного тока, переключатели низкого напряжения для ноутбуков или сетей, вторичное выпрямление для телекоммуникаций, переключатели нагрузки и многое другое. учить больше ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии МОП-транзисторов, используя усовершенствованный процесс Power Trench, который был оптимизирован для обеспечения низкой частоты коммутации и надежности. Ознакомьтесь со всем ассортиментом МОП-транзисторов Power Trench®.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMS7650DC |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 28 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DualCool-56-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 147 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.99mOhm @ 36A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W(Ta), 125W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 225 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 uOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14765 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A(Ta), 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |