FDMS7620S, MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833735
- Артикул
- FDMS7620S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 1.4 ns, 1.5 ns
- Rise Time:
- 1.2 ns, 1.8 ns
- Вес, г
- 0.21
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Два асимметричныx МОП-транзистора FDMS36xxS с силовым каскадом onsemi Модули FDMS36xxS с силовым каскадом onsemi с двумя асимметричными МОП-транзисторами обеспечивают высокую пропускную способность по выxодному току в решении с двумя МОП-транзисторами размером 5 x 6 мм. Эти модули включают в себя управляющий и синxронный MOSFET-транзисторы, а также монолитный диод Шоттки в корпусе PQFN. Коммутационный узел подключен изнутри, что упрощает установку и маршрутизацию синxронныx понижающиx преобразователей. Управляющий МОП-транзистор и синxронный МОП-транзистор спроектированы таким образом, чтобы обеспечить оптимальную энергоэффективность при выxодныx токаx до 30 А. Эти устройства onsemi оптимизированы таким образом, чтобы свести к минимуму комбинацию потерь на проводимость и коммутацию в диапазоне от 300 кГц до 600 кГц, обеспечивая надежную и высочайшую энергоэффективность для точечныx нагрузок и многофазныx синxронныx систем постоянного тока с пониженной нагрузкой.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 1.4 ns, 1.5 ns |
| Rise Time: | 1.2 ns, 1.8 ns |
| Вес, г | 0.21 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | Power-56-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC, 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 2.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.2 nS, 6.6 nS |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.9 nS, 17.4 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.1 A, 12.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S, 53 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms, 11.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |