Моя заявка (0)
FDMS7608S, MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004584556
Артикул
FDMS7608S
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET Driver
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Type:
MOSFET Driver
Цена по запросу
(от 139,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET Driver
BrandON Semiconductor/Fairchild
Type:MOSFET Driver
Width5 mm
Brand:onsemi/Fairchild
Height0.8 mm
Length6 mm
SeriesFDMS7608S
Series:FDMS7608S
Fall Time10 ns
PackagingCut Tape
Rise Time10 ns
TradenamePowerTrench SyncFET
Fall Time:10 ns
Rise Time:10 ns
TechnologySi
Tradename:PowerTrench SyncFET
Вес, г0.23
Technology:Si
Unit Weight0.007972 oz
ManufacturerON Semiconductor
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationDual
Manufacturer:onsemi
Package/Case:Power-56-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePower-56-8
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type2 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC, 30 nC
Number of Channels2 Channel
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation1 W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current12 A, 15 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:12 A, 15 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance10.3 mOhms, 6.6 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:10.3 mOhms, 6.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация