Моя заявка (0)
FDMS6673BZ, MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004584555
Артикул
FDMS6673BZ
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMS6673BZ
Fall Time:
79 ns
Rise Time:
28 ns
Цена по запросу
(от 173,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMS6673BZ
Fall Time:79 ns
Rise Time:28 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.07
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-56-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:130 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:97 ns
Id - Continuous Drain Current:15.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация