Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 67 A, 120 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 FDMS4D0N12C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015513440
Артикул
FDMS4D0N12C
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6mm
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот N-канальный высокочастотный МОП-транзистор изготовлен с использованием передовой теxнологии PowerTrench®, которая включает теxнологию экранированныx затворов.

Технические параметры

Width6mm
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePQFN 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation106Вт
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.3V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Квалификация-
Maximum Power Dissipation106 W
Typical Gate Charge @ Vgs36 nC @ 6 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage120 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance4 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0033Ом
Maximum Continuous Drain Current67 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока114А
Рассеиваемая Мощность106Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds120В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0033Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А67
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт106
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация