FDMS4D0N12C, Power MOSFET, N Channel, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001504143
- Артикул
- FDMS4D0N12C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 2 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот N-канальный высокочастотный МОП-транзистор изготовлен с использованием передовой теxнологии PowerTrench®, которая включает теxнологию экранированныx затворов.
Технические параметры
| Width | 6mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 106Вт |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Maximum Power Dissipation | 106 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 6 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0033Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 67 A |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 114А |
| Рассеиваемая Мощность | 106Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0033Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 114 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 106 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0044 Ом |