FDMS4435BZ, MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833724
- Артикул
- FDMS4435BZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- PowerTrenchВ®
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±25V
Цена по запросу
(от 95,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Series | PowerTrenchВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.07 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | FDMS4435BZ |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V |
| Особенности | TrenchFET |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 39W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Ta), 18A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 39Вт |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Power 56 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом |