Моя заявка (0)
FDMS3669S, MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007215436
Артикул
FDMS3669S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
3 ns
Вес, г
0.4
Цена по запросу
(от 216,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:3 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г0.4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:Power-56-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:34 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:113 S
Rds On - Drain-Source Resistance:10 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация