Моя заявка (0)

FDMS3602AS, Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin PQFN EP T/R

FDMS3602AS, Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin PQFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309730
Артикул
FDMS3602AS
Бренд
ON Semiconductor***
Family
Transistors-FETs, MOSFETs-Arrays
Series
PowerTrench®
FET Type
2 N-Channel(Dual)Asymmetrical
Packaging
Digi-Reel®
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторная матрица MOSFET с двумя N-канальными транзисторами 25 В 15 А/26 А, 8-контактный разъем PQFN на магнитной ленте и катушке (альтернативный вариант: FDMS3602AS)

Технические параметры

FamilyTransistors-FETs, MOSFETs-Arrays
SeriesPowerTrench®
FET Type2 N-Channel(Dual)Asymmetrical
PackagingDigi-Reel®
Вес, г1
FET FeatureLogic Level Gate
Part StatusActive
Power - Max2.2W, 2.5W
ManufacturerFairchild Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Standard Package1
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Gate Charge (Qg) @ Vgs27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6 mOhm @ 15A, 10V
Особенности-
Supplier Device PackagePower56
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1770pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A, 26A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация