FDMS2D5N08C, MOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005537574
- Артикул
- FDMS2D5N08C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 380,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы PQFN-8 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56F-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 138 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 166 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |