FDMS10C4D2N, MOSFETs Energy Inversion DC-AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584552
- Артикул
- FDMS10C4D2N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 330,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Energy Inversion DC-AC
Технические параметры
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.09 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | FDMS10C4D2N |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |