Моя заявка (0)
FDMS039N08B, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048653553
Артикул
FDMS039N08B
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMS039N08B
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 211,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

TypePower MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMS039N08B
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.01
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Package TypePQFN EP
Rad HardenedNo
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:Power-56-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation2.5(W)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:100 nC
Number of Elements1
Number of Channels:1 Channel
Drain-Source On-Volt80(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Continuous Drain Current19.4(A)
Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:19.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.2 mOhms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация