Моя заявка (0)
FDMS0300S, MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442761
Артикул
FDMS0300S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series
PowerTrenchВ®, SyncFETв(ў
FET Type
N-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 210,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

FDMS0300S был разработан для минимизации потерь при преобразовании энергии. Достижения как в области кремниевыx теxнологий, так и в области корпусныx теxнологий были

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrenchВ®, SyncFETв(ў
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±20V
Packaging:Reel, Cut Tape
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerON Semiconductor
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:Power-56-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / Case8-PowerTDFN
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:133 nC
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 30A, 10V
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 96W(Tc)
Supplier Device Package8-PQFN(5x6)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs133nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Id - Continuous Drain Current:31 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.8 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8705pF @ 15V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C31A(Ta), 49A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация