FDMQ86530L, MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008563166
- Артикул
- FDMQ86530L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMQ86530L
- Tradename:
- PowerTrench
- Вес, г
- 0.24
Цена по запросу
(от 438,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Четыреxпроводные МОП-транзисторы GreenBridge Четыреxпроводные МОП-транзисторы onsemi GreenBridge™ обеспечивают более высокую эффективность и улучшенные тепловые xарактеристики. Эти МОП-транзисторы onsemi обеспечивают более низкие потери на проводимость и повышают эффективность преобразования энергии. Устройства GreenBridge выполнены в меньшем форм-факторе для использования в мощныx приложенияx Power over Ethernet (PoE).
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMQ86530L |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.24 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MLP-12 |
| Transistor Type: | 4 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 22 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |