FDMQ8203, MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833699
- Артикул
- FDMQ8203
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- GreenBridgeв(ў PowerTrenchВ®
- Series:
- FDMQ8203
- FET Type
- 2 N and 2 P-Channel(H-Bridge)
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | GreenBridgeв(ў PowerTrenchВ® |
| Series: | FDMQ8203 |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel(H-Bridge) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Fall Time: | 1.9 ns, 2.7 ns |
| Rise Time: | 1.3 ns, 2.8 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.27 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Package / Case | 12-WDFN Exposed Pad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MLP-12 |
| Base Part Number | FDMQ8203 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC, 19 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Supplier Device Package | 12-MLP(5x4.5) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V, 80V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.4 A, 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms, 190 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V, 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V, 1.6 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.4A, 2.6A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |