FDME820NZT, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 9 A, 0.014 ohm, MicroFET, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003143955
- Артикул
- FDME820NZT
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 2.1Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 152 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 2.1Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.014Ом |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | MicroFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом |