FDME1024NZT, Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8208840274
- Артикул
- FDME1024NZT
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Channel Type
- N Channel
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 121 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Низкий профиль • Не содержит галогенов • Напряжение между затвором и источником составляет ±8 В • Постоянный ток стока 3,8 А • Импульсный ток стока 6 А
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Type | N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Power Dissipation N Channel | 1.4Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.4Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.055Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.055Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | µFET |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 3.8А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3.8А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 Ом |