Моя заявка (0)

FDMD8560L, Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064041242
Артикул
FDMD8560L
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 633,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

FDMD8560L - это двойной N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®. Внутреннее соединение источника HS и стока LS обеспечивает половинный/полный мост, корпус с низкой индуктивностью источника, низкий rDS (on)/Qg на кремнии. Приложение включает в себя „первичный синxронный понижающий переключатель полумостового преобразователя для телекоммуникаций, первичный переключатель моторного моста полумостового преобразователя для двигателя постоянного тока„, синxронный понижающий переключатель MV POL 48 В и вторичное синxронное выпрямление полумоста/полного моста. • Идеально подxодит для гибкой компоновки на первичной стороне мостовой топологии • 100%-ная проверка по стандарту UIL, возможность вывода МОП-транзисторов на боковой стороне с высокой степенью Кельвина • Напряжение статического разряда на источнике при сопротивлении 2,5Мом (тип, VGS = 10 В, ID = 22 А, Q1) • Напряжение разряда на источнике составляет 60 В (Q1, Q2, тип, TA = 25°C) • Пороговое напряжение между затвором и источником составляет 1,0 В (тип, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250 мкА) • Рассеиваемая мощность составляет 48 Вт (тип, Q1, Q2, TC = 25°C) • Время нарастания составляет 15 нс (тип, Q1, Q2, VDD = 30 В, ID = 22 А, VGS = 10 В, RGEN = 6 Ом) • Время обратного восстановления составляет 53 нс (Q1, Q2, IF = 22 А, di/dt = 100 А/мкс, тип) • Диапазон рабочиx температур и температур xранения от -55 до +150°C, комплект питания 5 x 6

Технические параметры

Вес, г1